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2N5760	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5760	文件：131.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits 文件：131.75 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5760	文件：135.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits 文件：135.2 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5760	文件：114.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits 文件：114.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5769	文件：26.22 Kbytes Page：2 Pages	NPN Switching Transistor NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching applications at currents to 100 mA. Sourced from Process 21. See PN2369A for characteristics. 文件：26.22 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5769	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：59.95 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5769	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5769 and PN2369A are epitaxial planar NPN Silicon Transistors designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：321.57 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5760	文件：115.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：115.86 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5760	文件：133.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：133.96 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5764	文件：73.97 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT 文件：73.97 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N5769
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>500MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS11,BSX19,BSX20,BSX39,BSX92,BSX93,2N2368(A),2N2369(A),3DG112C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
500000100
atest：
0.2
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N5769
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
400µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，350mV
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3

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更多2N576供应商更新时间2026-4-20 14:20:00

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