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2N5730	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5732	文件：129.919 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High current capability APPLICATIONS • For linear amplifier and inductive switching applications 文件：129.919 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5732	文件：129.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High DC Current Gain-hFE=30-300(Min)@lc = 5A • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max)@ \|c = 10A APPLICATIONS • Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. 文件：129.97 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5732	文件：108.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High current capability APPLICATIONS • For linear amplifier and inductive switching applications 文件：108.8 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5734	文件：108.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High current capability APPLICATIONS • For linear amplifier and inductive switching applications 文件：108.98 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5734	文件：128.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High DC Current Gain-hFE=30-300(Min)@IC = 10A • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max)@ IC = 20A APPLICATIONS • Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. 文件：128.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5734	文件：129.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High current capability APPLICATIONS • For linear amplifier and inductive switching applications 文件：129.91 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5737	文件：40.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 文件：40.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5737	文件：130.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 文件：130.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5737	文件：112.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：112.16 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2N5732
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDX40,BDY57,BDY76,2N3772,2N6258,3DA7B,
最大耗散功率：
87.5W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
100
htest：
30000100
atest：
20
wtest：
87.5

产品属性

产品编号：
2N5732
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

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