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2N5686	文件：58.04 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/464 文件：58.04 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5686	文件：133.86 Kbytes Page：8 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes • DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc • Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc • 文件：133.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5686	文件：119.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes • DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc • Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc • 文件：119.82 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5686	文件：185.32 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(50A,300W) HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications. • Continuous Collector Current – IC = 50 A • Power Dissipation – PD = 300 W @ TC = 25 °C • DC Current Gain – hFE = 15–60 @ IC = 25 A 文件：185.32 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N5686	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5686	文件：206.3 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications. • High Current Capability – IC Continuous = 50 Amperes. • DC Current Gain – hFE = 15–60 @ IC = 25 Adc • Low Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 文件：206.3 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5686	文件：99.23 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications. • High Current Capability – IC Continuous = 50 Amperes. • DC Current Gain – hFE = 15–60 @ IC = 25 Adc • Low Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 文件：99.23 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5686	文件：142.32 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：142.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5686	文件：151.67 Kbytes Page：7 Pages	High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors 文件：151.67 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5686	文件：126.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR 文件：126.01 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶体管资料

型号：
2N5686
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
50A
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2N5578,2N5579,2N5580,
最大耗散功率：
300W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
2000100
atest：
50
wtest：
300

产品属性

产品编号：
2N5686
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

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