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2N5631	文件：118.79 Kbytes Page：8 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON High-Voltage - High Power Transistors . . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. • High Collector Emitter Sustaining Voltage – VCEO(sus) = 140 Vdc • High DC Current Gain – @ IC = 8.0 Adc hFE = 15 (Min) • Low Collector–Emitte 文件：118.79 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5631	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5631	文件：130.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6031 • High collector-emitter sustaining voltage • High DC current gain@IC=8A • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications 文件：130.68 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5631	文件：105.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6031 • High collector-emitter sustaining voltage • High DC current gain • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications 文件：105.1 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5631	文件：255.13 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-VOLTAGE - HIGH POWER TRANSISTORS 16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100-120-140 VOLTS 200 WATTS 文件：255.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5631	文件：112.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6031 • High collector-emitter sustaining voltage • High DC current gain@IC=8A • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications 文件：112.24 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5631	文件：113.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：113.82 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5631	文件：105.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：105.1 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5631	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec
2N5631	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N5631
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
16A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX50,BDY58,BDY77,MJ15015,2N3773,2N6259,2SC2608,3DD73E,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
140
htest：
1000100
atest：
16
wtest：
200

产品属性

产品编号：
2N5631
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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