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2N5631功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5631/D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors

2N5631G功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    2N5631

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-204AA，TO-3

  • 供应商器件封装：

    TO-204AD（TO-3）

  • 描述：

    POWER BJT

晶体管资料

  • 型号：

    2N5631

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    140V

  • 最大电流允许值：

    16A

  • 最大工作频率：

    >1MHZ

  • 引脚数：

    2

  • 可代换的型号：

    BDX50,BDY58,BDY77,MJ15015,2N3773,2N6259,2SC2608,3DD73E,

  • 最大耗散功率：

    200W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    E-44

  • vtest：

    140

  • htest：

    1000100

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    16

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