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2N5660	文件：63.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454 文件：63.27 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5660	文件：204.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E • JAN level (2N5660J) • JANTX level (2N5660JX) • JANTXV level (2N5660JV) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MIL-STD-750 method 2072 for JANTXV • Radiation testing ( 文件：204.8 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N5660	文件：140.71 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • High speed switching and linear amplifier • High-voltage operational amplifiers • Switching regulators ,converters • Deflection stages and high fidelity amplifers 文件：140.71 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5660	文件：124.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTORS NPN SWITCHING TRANSISTORS Ic = 1.0 AMPS 文件：124.53 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5660	文件：80.8 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS NPN 200, 300V 0.5 AMP SWITCHING T0-66 文件：80.8 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5660	文件：163.48 Kbytes Page：2 Pages	0.5 AMP SWITCHING NPN 200, 300V 0.5 AMP SWITCHING T0-66 文件：163.48 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5660	文件：115.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • High speed switching and linear amplifier • High-voltage operational amplifiers • Switching regulators ,converters • Deflection stages and high fidelity amplifers 文件：115.16 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5660	文件：116.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：116.74 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5660	文件：16.1 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 文件：16.1 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5660	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Transistor	Semicoa	Semicoa

晶体管资料

型号：
2N5660
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_低频或音频放大（LF
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW40(A),BUW40(B),BUY63,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2N3583,2N3738,2N3739,2N4240,3DK205E,
最大耗散功率：
35W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
250
htest：
20000100
atest：
1
wtest：
35

产品属性

产品编号：
2N5660
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 400mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
TRANS NPN 200V 2A TO66

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