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2N5641	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5641	文件：174.48 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 7.0 W - 175 MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON 文件：174.48 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5641	文件：182.52 Kbytes Page：2 Pages	7W / 20W / 40W, 28V, VHF POWER TRANSISTOR Description: These SSM devices are epitaxial silicon NPN-planar transistors designed primarily for 12.5 volt AM class C rf amplifiers functional in the aviation band 118-136 MHz and for 28V FM class C rf amplifers utilized in ground station transmitters. These devices utilize ballasted emitter re 文件：182.52 Kbytes 页数：2 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N5641	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 35V 1A 4-Pin Style M135	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N5641
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLY91,BLY98,3DA107B,
最大耗散功率：
7W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
65
htest：
175000000
atest：
1
wtest：
7

技术参数

Output Power：
7(Min)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
5@100mA@5V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
35V
Maximum Collector Base Voltage：
65V
Configuration：
Single Dual Emitter

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