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2N5630	文件：67.09 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5629, 2N6029 series devices are complementary silicon power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high voltage and high power amplifier applications. 文件：67.09 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5630	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5630	文件：255.13 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-VOLTAGE - HIGH POWER TRANSISTORS 16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100-120-140 VOLTS 200 WATTS 文件：255.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5631	文件：255.13 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-VOLTAGE - HIGH POWER TRANSISTORS 16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100-120-140 VOLTS 200 WATTS 文件：255.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5631	文件：112.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6031 • High collector-emitter sustaining voltage • High DC current gain@IC=8A • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications 文件：112.24 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5631	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5631	文件：130.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6031 • High collector-emitter sustaining voltage • High DC current gain@IC=8A • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications 文件：130.68 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5631	文件：105.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6031 • High collector-emitter sustaining voltage • High DC current gain • Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS • For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications 文件：105.1 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5631	文件：118.79 Kbytes Page：8 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON High-Voltage - High Power Transistors . . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. • High Collector Emitter Sustaining Voltage – VCEO(sus) = 140 Vdc • High DC Current Gain – @ IC = 8.0 Adc hFE = 15 (Min) • Low Collector–Emitte 文件：118.79 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5632	文件：109 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS ·For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：109 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

产品属性

产品编号：
2N5638
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
包装：
散装
FET 类型：
N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
10pF @ 12V（VGS）
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
JFET N-CH 30V 0.35W TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N5638	onsemi(安森美)	24+	TO-92-3	2317	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市科翼源电子有限公司	2N5638	FSC	23+	TO92	2650	原厂原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2N5638	FSC	2450+	TO92	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N5638	FSC	24+	TO-92	53950		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2N5638	GS	25+23+	TO-93	51707	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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艾睿（深圳）半导体有限公司	2N5638	GS	2447	TO-93	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多2N563供应商更新时间2026-3-10 8:12:00

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