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2N6036G	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036G	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036G	文件：150.3 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036	文件：174.73 Kbytes Page：4 Pages	MIDIUMPOWERDAR;OMGTONS DESCRIPTION The2N6037,2N6038and2N6039aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTo-126plasticpackage. ThecomplementaryPNPtypesarethe2N6034,2N6035and2N6036respectively.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N6036	文件：113.74 Kbytes Page：8 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors PlasticDarlingtoncomplementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125in •Pb−FreePa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036	文件：246.06 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N6036	文件：104.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N6037/6038/6039 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2N6036	文件：388.87 Kbytes Page：10 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N6036	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036	文件：87.1 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION The2N6037,2N6038and2N6039aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTo-126plasticpackage. ThecomplementaryPNPtypesarethe2N6034,2N6035and2N6036respectively.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N6036	文件：666.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPDarlingtonPowerTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0fla	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2N6036	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6036	文件：137.49 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N6037/6038/6039 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N6036	文件：346.52 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N6036	文件：149.52 Kbytes Page：1 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: 2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6036	文件：133.64 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6036	文件：731.76 Kbytes Page：4 Pages	PNPDarlingtonPowerTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2N6036	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifier&LowSpeedSwitchingApplications.	CDIL CDIL
2N6036	文件：106.45 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.

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产品属性

产品编号：
2N6036G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N6036G	onsemi(安森美)	23+	TO-225	1259	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	2N6036G		21+	SMD	3000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2N6036G	ON	08+(pbfree)	TO-225	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	2N6036G	ON	23+	TO225AA	7750	全新原装优势	询价
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深圳市莱克讯科技有限公司	2N6036G	ON	2017+	TO-126	52145	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2N6036G	ON进口	2022+	TO-126	5000	全现原装公司现货	询价
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更多2N6036G供应商更新时间2024-4-27 23:00:00

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