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2N6052G	文件：137.61 Kbytes Page：5 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thispackageisdesignedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain—hFE=3500(Typ)@IC=5.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage—@100mAVCEO(sus)=100Vdc(Min) •M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6052G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 12A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6052	文件：188.54 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2N6052	文件：190.17 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=3500(Typ)@IC=5.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage—@100mA VCEO(sus)=80Vdc(Min)—2N6058	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6052	文件：130.66 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6052	文件：90.89 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6052	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N6052	文件：90.89 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6052	文件：146.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtionPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6052	文件：495.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6052	文件：174.77 Kbytes Page：1 Pages	Transistor,Bipolar,TO-3,PNP,12A,100V,150W Description:AsiliconPNPDarlingtontransistorsinaTO-3typecasedesignedforgeneral-purposeamplifierandlow-frequencyapplications Features -HighDCCurrentGain -Collector-EmitterSustainingVoltage:Vced(sus)=100VMin@100mA -MonolithicConstructionwithBuit-inBase-Emitte	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体麦克雷尔\|麦瑞半导体	Micrel
2N6052	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerTransistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6052	文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6052	文件：57.55 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6052	文件：16.329 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6052	文件：223.22 Kbytes Page：5 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N6052	文件：195.37 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
JAN2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体麦克雷尔\|麦瑞半导体	Micrel
JANTX2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体麦克雷尔\|麦瑞半导体	Micrel

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产品属性

产品编号：
2N6052G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

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更多2N6052G供应商更新时间2024-4-28 17:15:00

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