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2N6052G	文件：137.61 Kbytes Page：5 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors This package is designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications. Features • High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) • M 文件：137.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6052G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 12A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
JAN2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/501 文件：57.51 Kbytes 页数：2 Pages	Micrel 麦瑞半导体	Micrel
JANTX2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/501 文件：57.51 Kbytes 页数：2 Pages	Micrel 麦瑞半导体	Micrel
JANTXV2N6052	文件：57.51 Kbytes Page：2 Pages	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/501 文件：57.51 Kbytes 页数：2 Pages	Micrel 麦瑞半导体	Micrel

更多2N6052G供应商更新时间2025-12-14 9:38:00