2N6052G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
2N6052G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
9208
产品封装：
标准封装
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-4 23:00:00

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原厂料号：2N6052G品牌：ON(安森美)

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2N6052G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/TO-204AA，TO-3的2N6052G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2N6052G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
5 页
文件大小：
137.61 kb
资料说明：
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

产品属性

类型
描述
产品编号：
2N6052G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
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联系人：
庄小姐
手机：
19076157814
询价：
电话：
0755-83061789
传真：
0755-82550578
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深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层

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2N6052G

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