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JANTX2N6052

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/501

文件:57.51 Kbytes 页数:2 Pages

MICREL

麦瑞半导体

JANTX2N6052

Darlington PNP Silicon Power -80V to -100V, -12A

This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, silicon, power, 2N6051 and 2N6052 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/501. The device package outlines are as follows: TO-3 for all encapsulated device types.;

Microchip

微芯科技

JANTX2N6052

Package:TO-204AA,TO-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO204AA

MICROCHIP

微芯科技

JANTXV2N6052

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/501

文件:57.51 Kbytes 页数:2 Pages

MICREL

麦瑞半导体

产品属性

  • 产品编号:

    JANTX2N6052

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/501

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 6A,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 12A TO204AA

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更多JANTX2N6052供应商 更新时间2026-1-29 13:36:00