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JANTX2N6058	文件：65.019 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR NPNDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/502	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANTX2N6058	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 12A TO3	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
2N6058	文件：188.54 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	MOSPEC MOSPEC
2N6058	文件：190.17 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=3500(Typ)@IC=5.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage—@100mA VCEO(sus)=80Vdc(Min)—2N6058	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6058	文件：65.019 Kbytes Page：2 Pages	NPNDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR NPNDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/502	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6058	文件：130.66 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6058	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerTransistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2N6058	文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6058	文件：132.11 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N6058	文件：114.5 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highgain ·Highcurrent ·Highdissipation ·Complementtotype2N5883/2N5884 APPLICATIONS ·Theyareintendedforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2N6058	文件：223.22 Kbytes Page：5 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar	COMSET Comset Semiconductor
2N6058	文件：16.32 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB
2N6058	文件：195.37 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司
2N6058	文件：113.7 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highcurrent;highdissipation ·DARLINGTON ·Complementtotype2N5883;2N5884 APPLICATIONS ·Theyareintendedforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2N6058	文件：90.89 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6058	文件：495.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N6058	文件：114.5 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2N6058	文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor
2N6058	文件：90.89 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6058	文件：138.23 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. HighDCCurrentGain-	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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产品属性

产品编号：
JANTX2N6058
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/502
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 80V 12A TO3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	JANTX2N6058	Microchip Technology	23+	TO-204AA,TO-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳好佳好科技有限公司	JANTX2N6058	MOT	1912+	TO	16850	绝对原装现货	询价
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