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JANTX2N6350

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/472

文件:55.76 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JANTX2N6350

Darlington NPN Silicon Power 80V to 150V, 5A

This specification covers the performance requirements for NPN silicon power Darlington, 2N6350, 2N6351, 2N6352 and 2N6353 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/472. One level of product ass The device package outlines are as follows: 4-pin TO–33 for device types 2N6350 and 2N6351 and 3-pin TO–66 for device types 2N6352 and 2N6353.;

Microchip

微芯科技

JANTX2N6350

Package:TO-205AC,TO-33-4 金属罐;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

Microchip

微芯科技

JANTXV2N6350

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/472

文件:55.76 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANTX2N6350

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/472

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 5mA,5A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AC,TO-33-4 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-33

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT
24+
CAN4
847
询价
NES/MOT
24+
CAN4
500
原装现货假一罚十
询价
MICROSEMI
638
原装正品
询价
MICROSEMI/美高森美
22+
CAN
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
Microsemi Corporation
2022+
TO-33
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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NES
2023+
CAN4
50000
原装现货
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Nes
8512
N/A
3
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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Nes
2023+
N/A
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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Nes
8512
3
优势货源原装正品
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Nes
22+
N/A
20000
公司只做原装 品质保障
询价
更多JANTX2N6350供应商 更新时间2025-12-24 13:31:00