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2N6037	文件：346.52 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：346.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6037	文件：137.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N6034/6035/6036 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：137.53 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6037	文件：133.64 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. 文件：133.64 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6037	文件：105.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N6034/6035/6036 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：105.41 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2n6037	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General -Purpose Amplifier & Low Speed Switching Applications. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6037	文件：174.73 Kbytes Page：4 Pages	MIDIUM POWER DAR;OMGTONS DESCRIPTION The 2N6037, 2N6038 and 2N6039 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec To-126 plastic package. The complementary PNP types are the 2N6034, 2N6035 and 2N6036 respectively. 文件：174.73 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6037	文件：107 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：107 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6037	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington	Central	Central
2N6037	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 40V 4A 3-Pin TO-126 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N6037NPN	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General -Purpose Amplifier & Low Speed Switching Applications. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL

晶体管资料

型号：
2N6037
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD263,BD675,BD775,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Type：
NPN
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
500@0.5A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
4@40mA@4AV
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N6037	ONSEMI/安森美	25+	TO-126	45000	ONSEMI/安森美全新现货2N6037即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N6037	MOT	24+	TO-126	2580		询价
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更多2N6037供应商更新时间2026-4-17 14:14:00

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