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2N6042G

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= -2.0V(Max) @IC=-3A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications.

文件:279.5 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6042G

Plastic Medium?뭁ower Complementary Silicon Transistors

文件:94.72 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6042G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:113.08 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6042G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:152.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6042G

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2N6042G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 12mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多2N6042G供应商 更新时间2026-4-24 23:01:00