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2N6288G

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

文件:112.3 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6288G

7 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 30 ??50 ??70 VOLTS, 40 WATTS

文件:117.76 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6288G

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 7A TO220

ONSEMI

安森美半导体

2N6288

POWER TRANSISTORS(7A,40W)

2N6107,2N6109,2N6111 -- >PNP 2N6288,2N6290,2N6292 --> NPN 7A 30 - 70 Volts 40 Watts

文件:171.37 Kbytes 页数:4 Pages

MOSPEC

统懋

2N6288

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes hFE = 30−150 @ IC = 3.0 Adc − 2N6111, 2N6288 = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc −

文件:149.27 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6288

EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications

文件:101.31 Kbytes 页数:3 Pages

BOCA

博卡

产品属性

  • 产品编号:

    2N6288G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 3A,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 7A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N6288G供应商 更新时间2026-7-22 14:53:00