Darlington Transistors(NPN Silicon)

Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code

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ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington transistor

DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V) • High DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS • General purpose • High gain amplification.

文件：49.12 Kbytes 页数：8 Pages

PHI

飞利浦

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DARLINGTON TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 40V • Collector Dissipation: PC(max) = 625mW

文件：67.95 Kbytes 页数：2 Pages

Samsung

三星

NPN Darlington Transistor

NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.

文件：93.89 Kbytes 页数：2 Pages

Fairchild

仙童半导体

NPN Darlington Transistor

文件：472.29 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

Darlington Transistors

文件：111.97 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NPN 双极达林顿晶体管

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。该器件采用 TO-92 封装，适用于中等功率应用。 • Pb-Free Packages are Available**;

ONSEMI

安森美半导体

达林顿三极管

ST

意法半导体

Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：剪切带（CT）带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington Transistor

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Fairchild

仙童半导体