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2N6487	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：26.12 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6487	文件：272.94 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：272.94 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6487	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6487	文件：190.3 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,75W) Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 40 V (Min) – 2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) – 2N6487, 2N6490 文件：190.3 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6487	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6487	文件：134.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6489 2N6490 2N6491 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.96 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6487	文件：261 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain Specified to 15 Amperes- : hFE =20-150@ IC= 5.0A =5.0(Min)@ IC= 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min) ·Complement to Type 2N6490 APPLICATIONS ·Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications 文件：261 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6487	文件：161.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6489 2N6490 2N6491 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：161.24 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6487	文件：100.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6489 2N6490 2N6491 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：100.25 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6487	文件：236.74 Kbytes Page：1 Pages	SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designedfor use In general-purpose amplifier and switching applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining Vottage VCEO(sus) = 40 V (Min) -2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) -2N6487, 2N6490 文件：236.74 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N6487
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD607,BD707,BD743B,BD909,BDT83,3DK5A4,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
5000100
atest：
15
wtest：
75

产品属性

产品编号：
2N6487
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 5A，15A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
5MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO220

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