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2N6487	文件：151.26 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 15 Amperes − hFE = 20−150 @ IC = 5.0 Adc = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 文件：151.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6487	文件：93.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6489 2N6490 2N6491 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：93.12 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6487	文件：52.24 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The 2N6487 and 2N6488 are silicon epitaxial-base NPN transistors in Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for use in power linear and low frequency switching applications. The 2N6487 complementary type is 2N6490. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY P 文件：52.24 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6487	文件：94.69 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.69 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6487	文件：64.3 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：64.3 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6487	文件：148.65 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 60??0 VOLTS, 75 WATTS 文件：148.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6487	文件：154.41 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：154.41 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6487	文件：300 bytes Page：1 Pages	15 A，60 V NPN 双极功率晶体管 The 15 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. 2N6487, 2N6488 (NPN); and 2N6490, 2N6491 (PNP) are complementary devices. • DC Current Gain Specified to 15 Amperes-- hFE = 20-150 @ IC = 5.0 Adc; hFE= 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage--VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6487, 2N6490; VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6488, 2N6491\n• High Current Gain--Bandwidth ProductfT = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc\;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6487	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 15A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6487_11	文件：148.65 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 60??0 VOLTS, 75 WATTS 文件：148.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6487
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD607,BD707,BD743B,BD909,BDT83,3DK5A4,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
5000100
atest：
15
wtest：
75

产品属性

产品编号：
2N6487
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 5A，15A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
5MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO220

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