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2N6437	文件：198.54 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80©lc= 10A = 12 (Min)®lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A * Complementto 文件：198.54 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6437	文件：191.65 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,200W) HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80©lc=10A =12 (Min)®lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB 文件：191.65 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6437	文件：131.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6338~2N6341 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：131.86 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6437	文件：86.43 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80©lc=10A =12 (Min)®lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A * Complementto2N 文件：86.43 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6437	文件：113.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6338~2N6341 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：113.6 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6437	文件：131.28 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS PNP SILICON High-Power PNP Silicon Transistors . . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6437 = 120 Vdc (Min) — 2N6438 • High DC Current Gain — hFE = 20–80 @IC = 10 Adc = 12 ( 文件：131.28 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6437	文件：41.79 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION Designed for use in Industrial - Military Power Amplifier and Switching Circuit Applications 文件：41.79 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6437	文件：77.7 Kbytes Page：8 Pages	High-Power PNP Silicon Transistors 文件：77.7 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6437	文件：115.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：115.18 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6437	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
2N6437
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2N6378,2N6379,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
120
htest：
40000100
atest：
25
wtest：
200

产品属性

产品编号：
2N6437
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS PNP 100V 25A TO3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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