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2N6489	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：26.12 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6489	文件：272.94 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：272.94 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6489	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6489	文件：190.3 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,75W) Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 40 V (Min) – 2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) – 2N6487, 2N6490 文件：190.3 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6489	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6489	文件：134.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.62 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6489	文件：236.74 Kbytes Page：1 Pages	SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designedfor use In general-purpose amplifier and switching applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining Vottage VCEO(sus) = 40 V (Min) -2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) -2N6487, 2N6490 文件：236.74 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6489	文件：93.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：93.26 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6489	文件：94.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：94.85 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6489	文件：154.41 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：154.41 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N6489
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD606,BD706,BD744A,BD908,BDT82,3CA10C,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
50
htest：
5000100
atest：
15
wtest：
75

技术参数

Maximum Transition Frequency：
5(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
15A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.3@0.5A@5A
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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