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2N6427分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6427

参数属性

2N6427 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

功能描述

NPN Darlington Transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

文件大小

93.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-24 16:44:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6427

  • 别名:

    2N6427三极管、2N6427晶体管、2N6427晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

    β>10000

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.625

2N6427规格书详情

NPN Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely

high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from

Process 05. See MPSA14 for characteristics.

产品属性

  • 产品编号:

    2N6427

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20000 @ 100mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
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