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2N6475	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6475	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6475	文件：84.2 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON SWITCHING TRANSITORS Power Transistors TO-220 Case 文件：84.2 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6475	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6475	文件：59.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • General-purpose medium power for switching and amplifier applications 文件：59.75 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6475	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6475	文件：81.22 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：81.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6475	文件：93.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • General-purpose medium power for switching and amplifier applications 文件：93.74 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6475	文件：95.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：95.33 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6475	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N6475
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244C,BD602,CA72G,CA73G,2N6467,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
110
htest：
5000100
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Maximum Transition Frequency：
5(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.2@0.15A@1.5A
Maximum Collector Base Voltage：
110V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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