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深圳市华来深电子有限公司

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市科芯源微电子有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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深圳市豪迈兴电子有限公司

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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

深圳市威雅利发展有限公司

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深圳市宸远科技有限公司

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深圳市弘为电子有限公司

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深圳市一线半导体有限公司

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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万三科技(深圳)有限公司

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ON(安森美)封装

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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市振宏微科技有限公司

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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深圳市旺财半导体有限公司

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2N6507

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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2N6507

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2N6507功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6507G功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6507T功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6507TG功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

晶体管资料

  • 型号：

    2N6507

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    50HZ－Thy

  • 性质：

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    400V

  • 最大电流允许值：

    25A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

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  • 图片代号：

    B-10

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