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2N6426 | Darlington Transistors(NPN Silicon) Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code 文件:153.51 Kbytes 页数:6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
2N6426 | NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. 文件:25.37 Kbytes 页数:2 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
2N6426 | NPN Darlington Transistor 文件:297.8 Kbytes 页数:7 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
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2N6426 | NPN 达林顿双极晶体管 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。该器件采用 TO-92 封装,适用于中等功率应用。 • Pb-Free Packages are Available**; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
2N6426 | Package:TO-226-3,TO-92-3 长体;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
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晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl
- 性质:
通用型 (Uni)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
40V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率:
0.625W
- 放大倍数:
β>20000
- 图片代号:
A-31
- vtest:
40
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
0.625
产品属性
- 产品编号:
2N6426
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500µA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30000 @ 100mA,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
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