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2N6512

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max.)@IC= 4A • Colletor-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min.) • Fast Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in off-line power supplies, high voltage inverters, switching regulators, ignition systems and d

文件:143.8 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6512

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits

文件:109.43 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6512

Silicon NPN Power Transistors

文件:111.01 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6512

Bipolar NPN Device

文件:11.28 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6512

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N6512

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    350V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    >3MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BU211,BU221,BUX18A,BUX18B,BUX18C,BUX43,BUX44,BUY23,BUY75,2SC3041,3DK209G,

  • 最大耗散功率:

    120W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    350

  • htest:

    3000100

  • atest:

    7

  • wtest:

    120

产品属性

  • 产品编号:

    2N6512

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 800mA, 4A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 4A, 3V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N6512供应商 更新时间2026-4-17 18:03:00