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2N6517	文件：1.38427 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2N6517；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features Complement to 2N6520 文件：1.38427 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N6517	文件：76.42 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 625 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 500 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : 350 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：76.42 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2N6517	文件：923.5 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Features High voltage. Applications High voltage control circuit application. 文件：923.5 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2N6517	文件：165.41 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Complement To 2N6520 文件：165.41 Kbytes 页数：1 Pages	FS	FS
2N6517	文件：64.129 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 625 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 500 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : 350 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.129 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2N6517	文件：58.3 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2N6517 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • The 2N6517 is complementary to 2N6520. 文件：58.3 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2N6517	文件：27.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * 350 Volt VCEO * Gain of 15 at IC=100mA 文件：27.11 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
2N6517	文件：26.1 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • Collector Dissipation: PC(max) = 625mW • Complement to 2N6520 • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：26.1 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N6517	文件：36.89 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 350V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW 文件：36.89 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N6517	文件：220.18 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：220.18 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL

晶体管资料

型号：
2N6517
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1350,3DG84I,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
350
htest：
40000100
atest：
0.5
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N6517
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 350V 0.5A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N6517	onsemi	25+	TO-92(TO-226)	11543	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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