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2N6517	文件：1.38427 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2N6517；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features Complement to 2N6520 文件：1.38427 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N6517	文件：58.3 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2N6517 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • The 2N6517 is complementary to 2N6520. 文件：58.3 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2N6517	文件：76.42 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 625 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 500 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : 350 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：76.42 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2N6517	文件：923.5 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Features High voltage. Applications High voltage control circuit application. 文件：923.5 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2N6517	文件：165.41 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Complement To 2N6520 文件：165.41 Kbytes 页数：1 Pages	FS	FS
2N6517	文件：64.129 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 625 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 500 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : 350 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.129 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2N6517	文件：27.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * 350 Volt VCEO * Gain of 15 at IC=100mA 文件：27.11 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX

晶体管资料

型号：
2N6517
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1350,3DG84I,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
350
htest：
40000100
atest：
0.5
wtest：
0.625

详细参数

型号：
2N6517
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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