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2N6718	文件：1.67371 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N6718；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.67371 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N6718	文件：32.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：32.13 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N6718	文件：307.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Through Hole TO-92 Package • Capable of 625mWatts of Power Dissipation • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure 文件：307.51 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2N6718	文件：832.14 Kbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • General Purpose Switching Application 文件：832.14 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2N6718	文件：45.84 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6716, 2N6728 Series types are Complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：45.84 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6718	文件：1.01724 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Features High VCEO, large current. Applications Designed for general purpose medium power amplifier and switching. 文件：1.01724 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2N6718	文件：141.12 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR General Purpose Medium Power Amplifier 文件：141.12 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL

晶体管资料

型号：
2N6718
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD529,2SD1281,2SD1282,3DK104D,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
100
htest：
50000100
atest：
2
wtest：
1.2

详细参数

型号：
2N6718
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Med Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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