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2N7000

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Marking：2N7000；Package：TO-92；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N7000-D26Z

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Marking：2N7000；Package：TO-92；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N7000-D74Z

文件：372.34 Kbytes

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Marking：2N7000；Package：TO-92；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N7000-D75Z

文件：372.34 Kbytes

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Marking：2N7000；Package：TO-92；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N7000

文件：150.26 Kbytes

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Marking：2N7000021；Package：TO-92；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATIONS ●Loadswitchforportabledevices ●DC/DCconverter

SECELECTRONICS

SEC Electronics Inc.

详细参数

  • 型号：

    2N7000

  • 功能描述：

    MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
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更多2N7000供应商 更新时间2025-5-24 14:14:00

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