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2N6727	文件：1.74443 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N6727；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.74443 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N6727-TA	文件：1.74443 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N6727；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.74443 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N6727	文件：132.48 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 1 W(Tamb=25℃) Collector current ICM : -1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：132.48 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2N6727	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers & Switches Amplifiers & Switches Bipolar: General Purpose 文件：439.49 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N6727	文件：66.46 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 1 W(Tamb=25℃) Collector current ICM : -1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.46 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2N6727	文件：50.31 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 40 Volt VCEO * Gain of 50 at IC = 1 Amp * Ptot=1 Watt 文件：50.31 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
2N6727	文件：193.66 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR General Purpose Medium Power Amplifier 文件：193.66 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6727	文件：63.49 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6714, 2N6726 series types are complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：63.49 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N6727
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD518,BD526,2SB838,2SB839,3CA3B,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
50
htest：
50000100
atest：
2
wtest：
1.2

详细参数

型号：
2N6727
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Darlington
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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