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2N6517	文件：304.96 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications. 文件：304.96 Kbytes 页数：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6517	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Through Hole Package • 150 °C Junction Temperature • Voltage and Current are negative for PNP trans 文件：427.63 Kbytes 页数：6 Pages	MCC	MCC
2N6517	文件：213.35 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for applications requiring high breakdown voltage. 文件：213.35 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2N6517	文件：402.35 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Complement to 2N6520 文件：402.35 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2N6517	文件：142.04 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES  High Voltage Transistors  Complement of the 2N6520 文件：142.04 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N6517	文件：229.58 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN and PNP Features • Voltage and Current are Negative for PNP Transistors • Pb−Free Package is Available* 文件：229.58 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6517	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistors 文件：101.59 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6517	文件：136.37 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：136.37 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N6517	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistor 625mW 文件：295.96 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC
2N6517	文件：341.17 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistor 625mW 文件：341.17 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC

晶体管资料

型号：
2N6517
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1350,3DG84I,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
350
htest：
40000100
atest：
0.5
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N6517
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 350V 0.5A TO92

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