2N6517分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2N6517 |
参数属性 | 2N6517 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO92 |
功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长体 |
文件大小 |
36.89 Kbytes |
页面数量 |
1 页 |
生产厂商 | Samsung semiconductor |
企业简称 |
SAMSUNG【三星】 |
中文名称 | 三星半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
人工找货 | 2N6517价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2N6517规格书详情
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
• Collector-Emitter Voltage: VCEO = 350V
• Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW
产品属性
- 产品编号:
2N6517
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 50mA,10V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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25+ |
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