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2N6517分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6517
厂商型号

2N6517

参数属性

2N6517 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO92

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

文件大小

36.89 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

SAMSUNG三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
SAMSUNG
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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2N6517规格书详情

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

• Collector-Emitter Voltage: VCEO = 350V

• Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW

产品属性

  • 产品编号:

    2N6517

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 0.5A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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