isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High Voltage,High Speed • Low Saturation Voltage • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 350V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Off-line power supplies • Switch

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ISC

无锡固电

SI NPN POWER BJT

Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 10 A to 19.9 A

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon NPN Power Transistor

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ISC

无锡固电

Trans GP BJT NPN 350V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJS

Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：POWER BJT

Microchip

微芯科技

isc Silicon NPN Power Transistor

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ISC

无锡固电