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2N6579	文件：254.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High Voltage,High Speed • Low Saturation Voltage • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 350V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Off-line power supplies • Switch 文件：254.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6579	文件：100.43 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 10 A to 19.9 A 文件：100.43 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6579	文件：219.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：219.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6579	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
2N6579	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N6579_17	文件：219.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：219.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2N6579
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>25MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW24,BUW25,BUW26,BUW34,BUW35,BUW36,BUX17C,2SC3046,2N6251,3DK309B,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
450
htest：
25000100
atest：
10
wtest：
125

产品属性

产品编号：
2N6579
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA， 3mA
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

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