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2N6579分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6579

参数属性

2N6579 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

254.25 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 20:07:00

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2N6579规格书详情

DESCRIPTION

• Excellent Safe Operating Area

• High Voltage,High Speed

• Low Saturation Voltage

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 350V(Min)

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Off-line power supplies

• Switching amplifiers

• Inverters/Converters

• Motor speed control circuits

• Switching regulator

• Solenoid& relay drivers

产品属性

  • 产品编号:

    2N6579

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500µA, 3mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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