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2N6519	文件：26.89 Kbytes Page：3 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= -300V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW 文件：26.89 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N6519	文件：229.58 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN and PNP Features • Voltage and Current are Negative for PNP Transistors • Pb−Free Package is Available* 文件：229.58 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6519	文件：37.02 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：37.02 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N6519	文件：220.18 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：220.18 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
2N6519	文件：304.96 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications. 文件：304.96 Kbytes 页数：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6519	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Through Hole Package • 150 °C Junction Temperature • Voltage and Current are negative for PNP trans 文件：427.63 Kbytes 页数：6 Pages	MCC	MCC
2N6519	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistor 625mW 文件：295.96 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC
2N6519	文件：341.17 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistor 625mW 文件：341.17 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC
2N6519	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2N6519BU	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6519
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF493,BFP26,MPS-A92,2SB1074,3CG184F,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
300
htest：
40000100
atest：
0.5
wtest：
0.625

技术参数

Product Polarity：
PNP
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
-300
VCBO (V)：
300
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
-0.5
PC (W)：
0.625
HFE：
20
@IC (mA)：
-1.0
@VCE (V)：
-10
ICBO：
50nA
IEBO：
50nA
VCE(sat) (V)：
-0.3
VBE(sat) (V)：
0.75
FT (MHz)：
40
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

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