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2N6519BU	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6519BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6519	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Through Hole Package • 150 °C Junction Temperature • Voltage and Current are negative for PNP trans 文件：427.63 Kbytes 页数：6 Pages	MCC	MCC
2N6519	文件：26.89 Kbytes Page：3 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= -300V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW 文件：26.89 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N6519	文件：37.02 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：37.02 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung

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更多2N6519BU供应商更新时间2026-1-8 13:24:00