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2N7000BU	文件：85.23 Kbytes Page：3 Pages	Advanced Small Signal MOSFET BVDSS = 60 V RDS(on) = 5.0 Ω ID = 200 mA FEATURES ● Fast Switching Times ● Improved Inductive Ruggedness ● Lower Input Capacitance ● Extended Safe Operating Area ● Improved High Temperature Reliability 文件：85.23 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N7000BU	文件：157.68 Kbytes Page：5 Pages	Advanced Small-Signal MOSFET 文件：157.68 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N7000BU_13	文件：157.68 Kbytes Page：5 Pages	Advanced Small-Signal MOSFET 文件：157.68 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N7000CSM	文件：18.83 Kbytes Page：2 Pages	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR 文件：18.83 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N7000CSM	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR 文件：48.21 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N7000G	文件：383.82 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET Description This Power MOSFET is the second generation of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：383.82 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
2N7000BU
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7000BU供应商更新时间2025-10-14 9:05:00

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