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2N7000BU	文件：85.23 Kbytes Page：3 Pages	Advanced Small Signal MOSFET BVDSS=60V RDS(on)=5.0Ω ID=200mA FEATURES ●FastSwitchingTimes ●ImprovedInductiveRuggedness ●LowerInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7000BU	文件：157.68 Kbytes Page：5 Pages	Advanced Small-Signal MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7000BU_13	文件：157.68 Kbytes Page：5 Pages	Advanced Small-Signal MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7000CSM	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7000CSM	文件：18.83 Kbytes Page：2 Pages	N.CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7000G	文件：57.66 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN?묬hannelTO??2200mAMPS60VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7000G	文件：383.82 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-1.8ohm-0.35A-SOT23-3L/TO-92STripFETPowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthesecondgenerationofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2N7000G	文件：92.5 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60Volts SmallSignalMOSFET200mAmps,60Volts N−ChannelTO−92 Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7000-G	文件：666.91 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
2N7000-G	文件：524.31 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

详细参数

型号：
2N7000BU
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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