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2N7002K-T1-GE3	文件：219.28 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectricalcharacteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuitmodelisextractedandoptimizedoverthe−55to125°Ctemperaturerangesunderthepulsed0-Vto10-Vgatedrive.Thesaturatedoutputimpedanceisbestfitatthe	VishayVishay Siliconix 威世科技

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2N7002K-T1-GE3

文件：219.28 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectricalcharacteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuitmodelisextractedandoptimizedoverthe−55to125°Ctemperaturerangesunderthepulsed0-Vto10-Vgatedrive.Thesaturatedoutputimpedanceisbestfitatthe

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

型号：
2N7002K-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7002K-T1-GE3供应商更新时间2024-4-25 17:02:00

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