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2N7002K-T1-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

DESCRIPTION The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 10-V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

2N7002K-T1-GE3

SOT-23

VISHAY超低超低

上传:上海专毅电子科技有限公司

VISHAY超低超低

2N7002K-T1-GE3

SOT-23

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

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2N7002LT1G

SOT-23-3

ON

2N7002LT1G

SOT-23

ON

详细参数

  • 型号:

    2N7002K-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY超低超低
22+
SOT-23
90000
全新原装现货
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SOT-23
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