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2N7002LT1G	文件：58.68 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 SmallSignalMOSFET60V,115mA,N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002LT1G	文件：265.3 Kbytes Page：7 Pages	Marking：702M；Package：SOT-23；MOSFET – N-Channel, Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA Features •2VPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable(2V7002L) •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002LT1G	文件：985.5 Kbytes Page：3 Pages	Marking：7002；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet Application ®Dictlogi-fevlinterface:TTLICMOS ®Drivers:relays,solenoids,lamps,hammers,display, memories,ransistors,tc. ®Batteryoperatedsystems ®Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002LT1G	文件：64.66 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002LT1G	文件：207.85 Kbytes Page：4 Pages	Small signal MOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
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详细参数

型号：
2N7002LT1G
功能描述：
MOSFET 60V 115mA N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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