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2N7002LT1G中文资料Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23数据手册Willas规格书
2N7002LT1G规格书详情
描述 Description
•RoHS product for packing code suffix \"G\"
Halogen free product for packing code suffix \"H\"
Weight:0.008g
技术参数
- 型号：
2N7002LT1G
- 功能描述：
MOSFET 60V 115mA N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8660 |
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ON |
23+ |
SOT23 |
20000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
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原装 |
25+ |
SOT-23 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23 |
20000 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
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SOT-23 |
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