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2N7002ET1G	文件：104.79 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N?묬hannel, SOT??3 Features •LowRDS(on) •SmallFootprintSurfaceMountPackage •TrenchTechnology •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N7002ET1G	文件：205.12 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET Single N?묬hannel, 60 V, 310 mA, 2.5 Ohm Features •LowRDS(on) •SmallFootprintSurfaceMountPackage •TrenchTechnology •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSComp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N7002ET1G	文件：94.52 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N7002ET1G	文件：100.96 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
S2N7002ET1G	文件：205.12 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalMOSFETSingleN?묬hannel,60V,310mA,2.5Ohm Features •LowRDS(on) •SmallFootprintSurfaceMountPackage •TrenchTechnology •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSComp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
TP2N7002ET1G	文件：1.02157 Mbytes Page：3 Pages	60VN-ChannelMosfet Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Qnlid-etaterelave	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司

详细参数

型号：
2N7002ET1G
功能描述：
MOSFET NFET SOT23 60V 115mA 7mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7002ET1G供应商更新时间2024-4-26 14:30:00

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