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2N7002WT1G	文件：107.65 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?묬hannel, SC??0 Features •ESDProtected •LowRDS(on) •SmallFootprintSurfaceMountPackage •2VPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002WT1G	文件：1.83804 Mbytes Page：5 Pages	Marking：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Lowon-resistance ESDprotectedgateupto2kVHBM High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002WT1G	文件：108.83 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N.Channel, SC.70	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002WT1G	文件：71.21 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002WT1G	文件：1.01257 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
L2N7002WT1G	文件：167.41 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
L2N7002WT1G	文件：279.05 Kbytes Page：7 Pages	SmallSignalMOSFET115mA,60VN-ChannelSOT-323 •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

详细参数

型号：
2N7002WT1G
功能描述：
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7002WT1G供应商更新时间2025-7-16 15:01:00

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