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2N7002ET1G中文资料MOS场效应数据手册JSMICRO规格书

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厂商型号

2N7002ET1G

功能描述

MOS场效应

制造商

JSMICRO JSMirco-SEMI

中文名称

杰盛微 深圳市杰盛微半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:45:00

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技术参数

  • 型号:

    2N7002ET1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SOT23 60V 115mA 7mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT23
500
原装现货
询价
ON(安森美)
23+
SOT-23
25900
新到现货,只有原装
询价
ON
24+/25+
21131
原装正品现货库存价优
询价
ON/安森美
2023+
SOT-23
1814
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价
ON/安森美
2223+
SOT-23
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
ON
2020+PB
SOT-23
9600
询价
ON
17+
SOT
6200
100%原装正品现货
询价
ON
2025+
SOT-23
32560
原装优势绝对有货
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON/安森美
25+
SOT23
116635
全新原装现货库存
询价