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2N7002E中文资料N 沟道小信号 MOSFET 60V,310mA,2.5 Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N7002E

参数属性

2N7002E 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT

功能描述

N 沟道小信号 MOSFET 60V,310mA,2.5 Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:41:00

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2N7002E规格书详情

描述 Description

Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA,TRENCH, N-Channel,SOT23

特性 Features

• Low RDS(on)
• Improved system efficiency
• Small
• Space saving
• Trench Technology
• RoHS Compliant

应用 Application

• Low Side Load Switch
• Level Shift Circuits
• DC-DC Converter
• Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.
• DSC
• PDA
• Cell Phone

技术参数

  • 制造商编号

    :2N7002E

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :0.31

  • PD Max (W)

    :0.042

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.81

  • Ciss Typ (pF)

    :26.7

  • Package Type

    :SOT-23-3

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