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2N7002DWK中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

2N7002DWK

参数属性

2N7002DWK 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
MOSFET 2N-CH 60V SOT-363

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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2N7002DWK规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

•Dual N-Channel MOSFET
•Low On-Resistance
•Low Gate Threshold Voltage
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed
•Low Input/Output Leakage
•ESD Protected
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device 
•For automotive applications requiring specific changecontrol (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAPcapable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),please contact us or your local Diodes representative.https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

应用 Application

• Motor Controls

• Power Management Functions

简介

2N7002DWK属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的2N7002DWK晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N7002DWK

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N+N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.261 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.45 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :3000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :4000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :0.51 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :1.04 nC

  • Packages

    :SOT363

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