2N7002DWK中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
2N7002DWK |
参数属性 | 2N7002DWK 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 |
功能描述 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
人工找货 | 2N7002DWK价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2N7002DWK规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
•Dual N-Channel MOSFET
•Low On-Resistance
•Low Gate Threshold Voltage
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed
•Low Input/Output Leakage
•ESD Protected
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device
•For automotive applications requiring specific changecontrol (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAPcapable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),please contact us or your local Diodes representative.https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
应用 Application
• Motor Controls
• Power Management Functions
简介
2N7002DWK属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的2N7002DWK晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
:2N7002DWK
- 生产厂家
:Diodes
- Automotive Compliant PPAP
:No
- Polarity
:N+N
- ESD Diodes
:Yes
- VDS
:60 V
- VGS
:20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
:0.261 A
- PD @ TA = +25°C
:0.45 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
:3000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
:4000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
:N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
:N/A mΩ
- VGS (th) Max
:2 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
:0.51 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
:1.04 nC
- Packages
:SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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24000 |
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