2N7002DW中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
2N7002DW |
| 参数属性 | 2N7002DW 包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 |
| 功能描述 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N7002DW价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N7002DW规格书详情
简介
2N7002DW属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的2N7002DW晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N7002DW
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：On Request*
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：No
- VDS
：60 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：0.115 A
- PD @ TA = +25°C
：0.3 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：7500 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：2 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：N/A nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT3636(SC706) |
7350 |
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2016+ |
SOT-363 |
3000 |
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SOT363 |
3000 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT-23 |
54815 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-363 |
38962 |
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SOT-23 |
20000 |
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CJ |
21+ |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT363 |
98000 |
原装现货假一罚十 |
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SOT23 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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