选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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DIODES/美台21+ |
452000 |
SOT-363 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ONNA |
41611 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ONSOP |
29755 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
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INFINEONN/A |
24995 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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DIODESSOT-363 |
100000 |
1920+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
160285 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
159100 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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DIODES/美台SOT363 |
800000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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DIODESSOT-363 |
288000 |
22+ |
原厂/代理渠道价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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287551 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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INFINEONSOT363 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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DIODESSOT-363 |
100 |
2020 |
原装现货只有原装 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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DIODESSOT-363 |
5650 |
13+ |
只做原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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DIODESSOT23 |
6000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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GMCSOT-363 |
339000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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DIODES/美台SOT363 |
7906200 |
2N7002D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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2N7002DW-7-F价格
2N7002DW-7-F价格:¥0.1481品牌:Diodes
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2N7002DW-TPMOSFET-阵列2N-通道(双)60V115mA200mW表面贴装型SOT-363
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2N7002DW-7-F制造商:DiodesIncorporated说明:MOSFET60V200mW
2N7002DW-7-F 全新原装进口现货
制造商零件编号:2N7002DW-7-F制造商:DiodesIncorporated说明:MOSFET60V200mW
2N7002DWA-7中文资料Alldatasheet PDF
更多2N7002DW功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002DW _R1 _00001制造商:PanJit Touch Screens
2N7002DW H6327功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:OptiMOS™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
2N7002DW L6327功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002DW_ R2 _00001制造商:PanJit Touch Screens
2N7002DW-7功能描述:MOSFET 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002DW-7-F功能描述:MOSFET 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002DW-7-F-79制造商:DIODES 功能描述:Dual N-Channel Mosfet / SOT-363(LEADFREE)
2N7002DWA-7制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 60V 180MA SOT363 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Dual N-Ch 60V Enh 8Ohm at 5V VGS
2N7002DW-CUT TAPE制造商:FAIRCHILD 功能描述:2N7002DW Series 60 V 7.5 Ohms N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor