制造商零件编号： 2N7002DW-7-F
制造商: Diodes Incorporated
说明： MOSFET 60V 200mW
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Diodes Incorporated
Id-连续漏极电流: 115 mA
Vds-漏源极击穿电压: 70 V
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Dual
正向跨导 - 最小值: 0.08 S
最小工作温度: - 55 C
系列: 2N7002D
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 11 ns
